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值得注意的是，新推出的8TB型号预计将提供相似的性能，包括高达560 MB/s的顺序读取速度和高达530 MB/s的写入速度。根据官方数据表，该硬盘继续采用三星的3比特MLC（TLC）V-NAND技术，但升级了8GB LPDDR4 DRAM缓存，功耗略有增加。其耐久性评级也显著提高，最高可达4800TBW（写入太字节），适合重负载工作和长期使用。。业内人士推荐谷歌浏览器下载作为进阶阅读
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