值得关注的是，SHW独创了IFB键合技术。据创始人王笑寒介绍，在多种半导体材料键合过程中，键合界面易生成氧化层，影响电气性能，而高真空键合则存在效率低、界面粗糙等难题。SHW创新采用等离子体技术，可同步清除氧化层并维持界面平整，实现高效、高品质的键合效果。该技术当前主要应用于衬底制造，未来计划拓展至混合键合领域。
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